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Artigo de periodico
Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors (2020)
Claro, M. S.; Stroppa, D. G.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, SEMICONDUTIVIDADE
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ABNT
CLARO, M. S. et al. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 315, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Claro, M. S., Stroppa, D. G., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2020). Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 315. doi:10.1016/j.sna.2020.112262
NLM
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Vancouver
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Artigo de periodico
Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem (2015)
Pedroso, D. M.; Passaro, A.; Dacal, L. C. O.; Vieira, G. S.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain Andre
Source: JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
PEDROSO, D. M. et al. Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, v. 48, n. 36, p. se 2015, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/36/365102. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Pedroso, D. M., Passaro, A., Dacal, L. C. O., Vieira, G. S., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2015). Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 48( 36), se 2015. doi:10.1088/0022-3727/48/36/365102
NLM
Pedroso DM, Passaro A, Dacal LCO, Vieira GS, Silva ECF da, Quivy AA. Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2015 ; 48( 36): se 2015.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/36/365102
Vancouver
Pedroso DM, Passaro A, Dacal LCO, Vieira GS, Silva ECF da, Quivy AA. Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2015 ; 48( 36): se 2015.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/36/365102
Trabalho de evento-resumo
Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise (2015)
Fernandes, Fernando Massa; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
FERNANDES, Fernando Massa e SILVA, Euzi Conceição Fernandes da e QUIVY, A. A. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2015). Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
NLM
Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
Vancouver
Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors (2015)
Claro, Marcel Santos; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Stroppa, Daniel G
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CLARO, Marcel Santos et al. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Claro, M. S., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Stroppa, D. G. (2015). High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
NLM
Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
Vancouver
Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
Artigo de periodico
Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells (2014)
Gomez Armas, Luis Enrique ; Menezes, J. W.; Duarte, C. A.; Jacinto, C.; Seabra, Antonio Carlos ; Pagnossin, Ivan Ramos; Quivy, Alain André ; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Gusev, Gennady
Source: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. Unidades: IF, EP
Assunto: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, v. 61, p. 158-166, 2014Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Gomez Armas, L. E., Menezes, J. W., Duarte, C. A., Jacinto, C., Seabra, A. C., Pagnossin, I. R., et al. (2014). Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 61, 158-166. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#
NLM
Gomez Armas LE, Menezes JW, Duarte CA, Jacinto C, Seabra AC, Pagnossin IR, Quivy AA, Silva ECF da, Gusev G. Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells [Internet]. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2014 ; 61 158-166.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#
Vancouver
Gomez Armas LE, Menezes JW, Duarte CA, Jacinto C, Seabra AC, Pagnossin IR, Quivy AA, Silva ECF da, Gusev G. Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells [Internet]. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2014 ; 61 158-166.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#
Artigo de periodico
Modeling noise in superlattice quantum-well infrared photodetectors (2014)
Fernandes, Fernando Massa; Claro, Marcel Santos; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain Andre
Source: JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
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ABNT
FERNANDES, Fernando Massa et al. Modeling noise in superlattice quantum-well infrared photodetectors. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, v. 47, n. 38, p. 385105, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/38/385105. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Fernandes, F. M., Claro, M. S., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2014). Modeling noise in superlattice quantum-well infrared photodetectors. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 47( 38), 385105. doi:10.1088/0022-3727/47/38/385105
NLM
Fernandes FM, Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA. Modeling noise in superlattice quantum-well infrared photodetectors [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2014 ; 47( 38): 385105.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/38/385105
Vancouver
Fernandes FM, Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA. Modeling noise in superlattice quantum-well infrared photodetectors [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2014 ; 47( 38): 385105.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/38/385105
Artigo de periodico
Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation (2013)
Maia, Álvaro Diego Bernardino; Aquino, V. M. de; Dias, I. F. L.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain Andre; Bindilatti, Valdir
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, ÁTOMOS
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ABNT
MAIA, Álvaro Diego Bernardino et al. Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 8, p. 083708, 2013Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Maia, Á. D. B., Aquino, V. M. de, Dias, I. F. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Bindilatti, V. (2013). Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 8), 083708. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf
NLM
Maia ÁDB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 8): 083708.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf
Vancouver
Maia ÁDB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. Simulation of the electronic properties of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x' 'AS' quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 8): 083708.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/431f6fc1-75d5-4f3e-b13e-0af926fa3796/1.4818610.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well (2012)
Tabata, A; Oliveira, J B B; Pintão, C A F; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Lamas, Tomas Eriksson; Duarte, C A; Gusev, Guennadii Michailovich
Source: Physics Procedia: Book Series. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TABATA, A et al. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#. Acesso em: 27 abr. 2024. , 2012
APA
Tabata, A., Oliveira, J. B. B., Pintão, C. A. F., Silva, E. C. F. da, Lamas, T. E., Duarte, C. A., & Gusev, G. M. (2012). Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
NLM
Tabata A, Oliveira JBB, Pintão CAF, Silva ECF da, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 53-56.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
Vancouver
Tabata A, Oliveira JBB, Pintão CAF, Silva ECF da, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 53-56.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
Trabalho de evento-resumo
Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES (2011)
Duarte, Celso de Araujo; Luis Enrique Gomes Armas; Bakarov, Askhat K; Wiedmann, Steffen Robert; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Gusev, Guennady Michailovich; Portal, Jean-Claude
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
DUARTE, Celso de Araujo et al. Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0114-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Duarte, C. de A., Luis Enrique Gomes Armas,, Bakarov, A. K., Wiedmann, S. R., Silva, E. C. F. da, Gusev, G. M., & Portal, J. -C. (2011). Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0114-1.pdf
NLM
Duarte C de A, Luis Enrique Gomes Armas, Bakarov AK, Wiedmann SR, Silva ECF da, Gusev GM, Portal J-C. Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0114-1.pdf
Vancouver
Duarte C de A, Luis Enrique Gomes Armas, Bakarov AK, Wiedmann SR, Silva ECF da, Gusev GM, Portal J-C. Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0114-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots (2011)
Maia, Alvaro Diego Bernardino; Fernandes, Fernando Massa; Ferreira, Daniel Takaki; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain André
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIA, Alvaro Diego Bernardino et al. Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Maia, A. D. B., Fernandes, F. M., Ferreira, D. T., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2011). Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
NLM
Maia ADB, Fernandes FM, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Vancouver
Maia ADB, Fernandes FM, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors (2011)
Maia, Alvaro Diego Bernardino; Fernandes, Fernando Massa; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain André
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIA, Alvaro Diego Bernardino et al. Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Maia, A. D. B., Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2011). Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf
NLM
Maia ADB, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf
Vancouver
Maia ADB, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fractional quantum Hall effect in second subband of a 2DES (2011)
Duarte, Celso de Araujo; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Gusev, Guennadii Michailovich; Gomez Armas, Luis Enrique ; Bakarov, Askhat K; Wiedmann, Stefen Robert; Portal, Jean-Claude
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF
Assunto: EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, Celso de Araujo et al. Fractional quantum Hall effect in second subband of a 2DES. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Duarte, C. de A., Silva, E. C. F. da, Gusev, G. M., Gomez Armas, L. E., Bakarov, A. K., Wiedmann, S. R., & Portal, J. -C. (2011). Fractional quantum Hall effect in second subband of a 2DES. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0375-1.pdf
NLM
Duarte C de A, Silva ECF da, Gusev GM, Gomez Armas LE, Bakarov AK, Wiedmann SR, Portal J-C. Fractional quantum Hall effect in second subband of a 2DES [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0375-1.pdf
Vancouver
Duarte C de A, Silva ECF da, Gusev GM, Gomez Armas LE, Bakarov AK, Wiedmann SR, Portal J-C. Fractional quantum Hall effect in second subband of a 2DES [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0375-1.pdf
Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Dissertação (Mestrado)
Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs (2004)
Pagnossin, Ivan Ramos; Silva, Euzi Conceição Fernandes da (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, EFEITO HALL, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Pagnossin, I. R. (2004). Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/
NLM
Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/
Vancouver
Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/
Trabalho de evento-resumo
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates (1997)
Frizzarini, Marcos; Sperandio, Alexander Luz; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRIZZARINI, Marcos et al. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Frizzarini, M., Sperandio, A. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Dissertação (Mestrado)
Propriedades óticas de heteroestrutura semicondutoras de GaAs/AlGaAs (1997)
Montanher, Valter Cesar; Silva, Euzi Conceição Fernandes da (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTANHER, Valter Cesar. Propriedades óticas de heteroestrutura semicondutoras de GaAs/AlGaAs. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23102017-143621/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Montanher, V. C. (1997). Propriedades óticas de heteroestrutura semicondutoras de GaAs/AlGaAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23102017-143621/
NLM
Montanher VC. Propriedades óticas de heteroestrutura semicondutoras de GaAs/AlGaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23102017-143621/
Vancouver
Montanher VC. Propriedades óticas de heteroestrutura semicondutoras de GaAs/AlGaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23102017-143621/
Artigo de periodico
'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates (1997)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Sperândio, A L; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. et al. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 125-129, 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F. da, Sperândio, A. L., & Leite, J. R. (1997). 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 125-129. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
Trabalho de evento-resumo
New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers (1997)
Levine, A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Dias, I. F. L.; Lauretto, D; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Oliveira, A. G.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Dias, I. F. L., Lauretto, D., Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Oliveira, A. G. (1997). New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Dias IFL, Lauretto D, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. New results in photoluminescence-excitation measurements from Be single delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
New results on bound exciton in quantum wells (1997)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E A e SILVA, Euzi Conceição Fernandes da. New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 194-197, 1997Tradução . . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. da. (1997). New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 194-197.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 194-197.[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 194-197.[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells (1997)
Soler, M A G; Depeyrot, J; Morais, P C; Soares, J A N T; Scólfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Enderlein, R; Weimann, G; Trankle, G
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MECÂNICA QUÂNTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER, M A G et al. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 21, n. 4, p. 581-585, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Soler, M. A. G., Depeyrot, J., Morais, P. C., Soares, J. A. N. T., Scólfaro, L. M. R., Silva, E. C. F. da, et al. (1997). Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, 21( 4), 581-585. doi:10.1006/spmi.1996.0206
NLM
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206
Vancouver
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206

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